STP8NM60FP-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源驱动电压（VGS）范围为-8V至+20V，确保器件在多种驱动条件下可靠开关。凭借碳化硅材料的特性，该器件在高频工作时表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换系统，如通信设备电源、光伏逆变器及高密度开关电源等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP8NM60FP-HXY

商品编号

C53133763

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)