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IMT65R020M2HXUMA1-HXY
IMT65R020M2HXUMA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有116A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为20mΩ，栅源电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通特性和较低的开关损耗，同时具备良好的高温稳定性和热传导能力。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，如数据中心供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场合。
- 商品型号
- IMT65R020M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133764
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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