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IMT65R020M2HXUMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有116A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为20mΩ，栅源电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通特性和较低的开关损耗，同时具备良好的高温稳定性和热传导能力。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，如数据中心供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场合。
- 商品型号
- IMT65R020M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133764
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ |
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