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STW21N65M5-HXY
STW21N65M5-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压，导通电阻为165mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，适合用于高电压、中等电流的电源管理与能量转换应用。
- 商品型号
- STW21N65M5-HXY
- 商品编号
- C53133758
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.38克(g)
商品参数
参数完善中
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