STF9N65M2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平。器件基于碳化硅材料，具备较高的开关速度与热稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及各类高效能电能管理模块，在注重体积紧凑与能效优化的设计中表现良好。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF9N65M2-HXY

商品编号

C53133761

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)