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STF9N65M2-HXY
STF9N65M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为5.1A，导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V，支持较宽的驱动电平。器件基于碳化硅材料，具备较高的开关速度与热稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及各类高效能电能管理模块，在注重体积紧凑与能效优化的设计中表现良好。
- 商品型号
- STF9N65M2-HXY
- 商品编号
- C53133761
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
参数完善中
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