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FCHD190N65S3R0-F155-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和空间布局有严苛要求的电力电子应用。其负向栅压耐受能力有助于提升关断可靠性。
- 商品型号
- FCHD190N65S3R0-F155-HXY
- 商品编号
- C53133757
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽带隙碳化硅 MOSFET 技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 低电容实现高速开关
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHs 标准
- TO-247 封装
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器
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