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IPW65R190CFDAFKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。
- 商品型号
- IPW65R190CFDAFKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133756
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.17克(g)
商品参数
参数完善中
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