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PDTC143ZT,215-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PDTC143ZT,215-JSM

内置偏置电阻的NPN数字晶体管,适用于通用逆变器电路

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描述
NPN 电阻式晶体管
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PDTC143ZT,215-JSM
商品编号
C53113937
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0308克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)-
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)-
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))1.3V@5mA,0.3V
属性参数值
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@5mA,0.25mA
输入电阻6.11kΩ
电阻比率12
工作温度-55℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))-
特征频率(fT)250MHz
集电极截止电流(Icbo)-

商品概述

PDTC143ZT,215-JSM 由内置偏置电阻的 NPN 数字晶体管组成,无需外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻为完全隔离的薄膜电阻,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。该系列简化了器件设计,只需设置开/关条件即可运行。

商品特性

  • 内置偏置电阻,无需外部输入电阻即可配置反相器电路
  • 完全隔离的薄膜偏置电阻,可实现输入负偏置并将寄生效应降至最低
  • 器件设计简单,只需设置开/关条件
  • 宽电源电压范围,最高可达 50V
  • 高输入电压范围,从 -5V 到 +30V
  • 低输出电压(导通时),典型值为 0.1V
  • 高直流电流增益,最小值为 80
  • 低输入电流和输出泄漏电流
  • 高过渡频率,为 250MHz

应用领域

  • 通用反相器电路
  • 数字逻辑应用
  • 信号处理电路
  • 低功耗电子设备
  • 消费电子产品
  • 工业控制系统

数据手册PDF