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PUMD3,115-JSM
双偏置电阻晶体管，简化电路设计、减少电路板空间和元件数量，符合RoHS要求
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- 描述
- 数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PUMD3,115-JSM
- 商品编号
- C53113980
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 385mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些分立元件。在PUMD3,115 - JSM中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求。