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BC846B-QR-JSM实物图
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BC846B-QR-JSM

NPN通用晶体管,高电流增益、低噪声,适用于AF输入级和驱动应用

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描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):65V 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):800@2mA,5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BC846B-QR-JSM
商品编号
C53113999
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)250mW
属性参数值
直流电流增益(hFE)250
特征频率(fT)100MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))200mV;90mV
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

数据手册PDF