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PUMH10,115-JSM
PUMH10,115-JSM
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：100@10mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PUMH10,115-JSM
- 商品编号
- C53114021
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V@5mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | 2.86kΩ | |
| 电阻比率 | 26 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |