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PDTD113ZT,215-JSM
NPN硅外延平面数字晶体管，内置偏置电阻，采用SOT-23封装
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：500mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：70@50mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTD113ZT,215-JSM
- 商品编号
- C53114063
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 82 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.5V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 1.3kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@50mA,2.5mA | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品概述
PDTD113ZT,215 - JSM是一款带有内置偏置电阻的NPN硅外延平面数字晶体管。它采用紧凑的SOT - 23封装，在确保各种电子应用的可靠数字开关性能的同时，简化了电路设计。
商品特性
- 内置偏置电阻，简化电路设计
- 减少元件数量和制造工艺
- SOT - 23表面贴装紧凑型封装
- 在VCE = 5V、IC = 50mA时，直流电流增益（hFE）≥82
- 过渡频率（fT）典型值为200MHz，实现高速运行
应用领域
- 消费电子
- 数字电路
- 便携式设备
- 信号开关电路
- 低功耗电子系统