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PESD3V3U1UA,115-JSM
ESD保护二极管，单向配置，固态硅雪崩技术，低钳位电压和低泄漏电流，适用于数据线和电源线保护
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- 描述
- 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：16V 峰值脉冲电流(Ipp)：17A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp)：350W@8/20us 击穿电压：6V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD3V3U1UA,115-JSM
- 商品编号
- C53114070
- 商品封装
- SOD323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 40A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 800W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 200nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 3pF |
商品特性
- 800瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 保护一条数据/电源线
- IEC 61000 - 4 - 2标准下±30kV接触放电；±30kV空气放电
- IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）40A（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击）40A（8/20微秒）
- 模塑料可燃性等级：UL 94V - 0
- 封装形式：卷带包装
- 符合RoHS/WEEE标准
应用领域
- USB Vbus总线
- 电源线
- 电源管理
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- PESD5V0S1UL,315-JSM
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- PTVS5V0S1UR-JSM
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- PESD5V0U1BA,115-JSM
- PRTR5V0U2AX,215-JSM
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- PESD5V0X1BL,315-JSM
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- PDTC123JT,215-JSM
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