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PESD5V0V1BB,115-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PESD5V0V1BB,115-JSM

ESD保护二极管，双向配置，固态硅雪崩技术，低钳位电压和低泄漏电流

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描述
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：15V 峰值脉冲电流(Ipp)：8A 峰值脉冲功率(Ppp)：120W 击穿电压：5.5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD5V0V1BB,115-JSM
商品编号
C53114037
商品封装
SOD-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.023767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性-
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)8A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)90W@8/20us
击穿电压(VBR)6V
属性参数值
反向电流(Ir)200nA
通道数-
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容23pF

商品特性

  • 90瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
  • 双向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • 符合IEC 61000 - 4 - 2标准，接触放电±25kV，空气放电±25kV
  • 符合IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）标准，40A（5/50纳秒）
  • 符合IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）标准，8A（8/20微秒）
  • SOD - 523封装

应用领域

  • 基于微处理器的设备
  • 个人数字助理（PDA）
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器
  • 寻呼机外设

数据手册PDF

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