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PMV65XPEAR-JSM

P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，适用于低电压应用，具有低导通电阻和ESD保护

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描述: 数量：1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 导通电阻(RDS(on))：78mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)：890mW 阈值电压(Vgs(th))：1.25V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PMV65XPEAR-JSM
商品编号: C53114041
商品封装: SOT-23-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036033克(g)

商品参数

PMV65XPEAR-JSM 是一款采用高密度先进沟槽技术制造的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。该高密度工艺专为最小化导通电阻而优化。这些器件特别适用于低电压应用，可在非常小的表面贴装封装内实现低线路功率损耗。具备 3KV 的静电放电保护能力。