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BC857BS,115-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BC857BS,115-JSM

双PNP晶体管,单封装集成两个晶体管,减少组件数量和电路板空间,晶体管间无相互干扰

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描述
晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):300@2mA,5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BC857BS,115-JSM
商品编号
C53114045
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.028767克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)450
属性参数值
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV;650mV
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量2个PNP

数据手册PDF