BC857BS,115-JSM
双PNP晶体管,单封装集成两个晶体管,减少组件数量和电路板空间,晶体管间无相互干扰
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- 描述
- 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):300@2mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC857BS,115-JSM
- 商品编号
- C53114045
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV;650mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 2个PNP |
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