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2N7002BKS,115-JSM

双N沟道增强型MOS场效应晶体管，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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描述: 数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: 2N7002BKS,115-JSM
商品编号: C53114003
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029533克(g)

商品参数

2N7002BKS,115-JSM是一款双N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。