立创商城logo
购物车0
BSN20BKR-JSM实物图
  • BSN20BKR-JSM商品缩略图
  • BSN20BKR-JSM商品缩略图
  • BSN20BKR-JSM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSN20BKR-JSM

N沟道MOSFET,具备ESD保护、低导通电阻、表面贴装封装、无铅、符合RoHS和无卤要求,适用于低侧负载开关、电平转换电路、DC-DC转换器和便携式应用

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):330mA 耗散功率(Pd):1.672W 阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BSN20BKR-JSM
商品编号
C53113991
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031533克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)710pC
属性参数值
输入电容(Ciss)34pF
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)3pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 具备ESD保护功能
  • 低导通电阻
  • 表面贴装封装
  • 无铅器件
  • 产品材料符合RoHS要求且无卤素
  • S-前缀适用于汽车及其他需要独特生产场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力

应用领域

  • 低侧负载开关
  • 电平转换电路
  • DC-DC转换器
  • 便携式应用

数据手册PDF