BSN20BKR-JSM
N沟道MOSFET,具备ESD保护、低导通电阻、表面贴装封装、无铅、符合RoHS和无卤要求,适用于低侧负载开关、电平转换电路、DC-DC转换器和便携式应用
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):330mA 耗散功率(Pd):1.672W 阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSN20BKR-JSM
- 商品编号
- C53113991
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 710pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 具备ESD保护功能
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 无铅器件
- 产品材料符合RoHS要求且无卤素
- S-前缀适用于汽车及其他需要独特生产场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力
应用领域
- 低侧负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用
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