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PESD18VF1BLYL-JSM实物图
  • PESD18VF1BLYL-JSM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESD18VF1BLYL-JSM

用于保护高速数据线的低电容ESD二极管,采用DFN1006 - 2封装,符合RoHS标准

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描述
极性:双向 反向截止电压(Vrwm):18V 钳位电压:17V 峰值脉冲电流(Ipp):1A@8/20us 击穿电压:19V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD18VF1BLYL-JSM
商品编号
C53113989
商品封装
DFN1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性-
反向截止电压(Vrwm)18V
钳位电压32V
峰值脉冲电流(Ipp)1A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)32W@8/20us
击穿电压(VBR)23V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.45pF

商品概述

PESD18VF1BLYL-JSM是一款ESD二极管,具有32W(8/20μs)的峰值脉冲功率,旨在保护一条高速数据线。它具有低电容ESD保护功能,采用DFN1006-2封装。该产品符合RoHS标准,采用哑光镀锡引脚(无铅),满足IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护要求。

商品特性

  • 超低电容:典型值为0.25 - 0.45pF(VR = 0V,f = 1MHz)
  • 低泄漏电流:在VRWM = 5V时最大为0.1μA
  • 反向工作峰值电压:18V
  • 保护一条高速数据线
  • 低钳位电压:在IPP = 1A(8/20μs)时为27 - 32V
  • 符合以下标准:IEC61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试:接触放电 > 8kV;空气放电 > 15kV
  • 符合RoHS标准
  • 32W(8/20μs)峰值脉冲功率

应用领域

  • 通信系统
  • 便携式仪器
  • 音频和视频设备
  • 计算机及外围设备
  • USB 2.0、USB 3.0端口

数据手册PDF