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PESD2ETH1G-TR-JSM

超低电容瞬态电压抑制器阵列，适用于便携式电子设备和智能手机，采用小型SOT - 23封装，具备低电容和低漏电流特性

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品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PESD2ETH1G-TR-JSM
商品编号: C53113984
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.032367克(g)

商品参数

商品概述

PESD2ETH1G - TR - JSM是超低电容瞬态电压抑制器阵列，旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供双向配置，对于8/20us波形的额定功率为300瓦。在较高的工作频率或更快的边沿速率下，插入损耗和信号完整性是主要关注点。该系列在微型SOT - 23封装中提供超低电容和低泄漏电流。

商品特性

IEC 61000 - 4 - 2 4级ESD保护
±25kV接触放电
±25kV空气放电
300W峰值脉冲功率（8/20us）
低钳位电压
保护两条双向或两条单向线路
低泄漏电流
符合RoHS标准

应用领域

以太网10/100/1000 Base T
手持无线系统
服务器、笔记本电脑和台式PC
智能手机
USB接口
手机及配件

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	24V
	钳位电压	42V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	300W@8/20us
	击穿电压(VBR)	26V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	双路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.8pF