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PMV250EPEAR-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV250EPEAR-JSM

P沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于电池保护和开关应用

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描述
数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):1.5A 导通电阻(RDS(on)):240mΩ@10V,1.3A 耗散功率(Pd):890mW 阈值电压(Vgs(th)):2.5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PMV250EPEAR-JSM
商品编号
C53113952
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0375克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)6.4nC
属性参数值
输入电容(Ciss)620pF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)65pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

PMV250EPEAR-JSM采用先进的沟槽技术,提供优异的RDs(oN)、低栅极电荷,并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF