PMV250EPEAR-JSM
P沟道增强型MOSFET,采用先进沟槽技术,适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):1.5A 导通电阻(RDS(on)):240mΩ@10V,1.3A 耗散功率(Pd):890mW 阈值电压(Vgs(th)):2.5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV250EPEAR-JSM
- 商品编号
- C53113952
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
PMV250EPEAR-JSM采用先进的沟槽技术,提供优异的RDs(oN)、低栅极电荷,并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护或其他开关应用。
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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