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PESD3V3S2UT-JSM实物图
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PESD3V3S2UT-JSM

ESD保护二极管阵列,具备双向和单向配置,采用固态硅雪崩技术,低钳位电压和低漏电流

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描述
反向截止电压(Vrwm):3.3V 钳位电压:16V 峰值脉冲电流(Ipp):20A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp):350W@8/20us 击穿电压:6.5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD3V3S2UT-JSM
商品编号
C53113954
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0309克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性-
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压16V
峰值脉冲电流(Ipp)20A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压(VBR)6.5V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数-
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容200pF

商品特性

  • 350瓦峰值脉冲功率(脉冲时间tp = 8/20微秒)
  • 双向和单向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • IEC 61000 - 4 - 2标准:接触放电±30kV,空气放电±30kV
  • IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群):40A(5/50纳秒)
  • IEC 61000 - 4 - 5(浪涌):20A(8/20微秒)

应用领域

  • 数据线
  • 自动取款机
  • 网络
  • 电力线

数据手册PDF