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BSS138PS,115-JSM
双N沟道MOSFET，采用沟槽技术，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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- 描述
- 数量：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：410mA 导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：417mW 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS138PS,115-JSM
- 商品编号
- C53113955
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 26.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12.9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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