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BC807,215-JSM
PNP硅外延平面晶体管，具有高集电极电流、高电流增益和低集电极 - 发射极饱和电压
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- 描述
- 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：600@100mA,1V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC807,215-JSM
- 商品编号
- C53113957
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 418 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 与BC817互补
- 高集电极电流
- 高电流增益
- 低集电极-发射极饱和电压
- SOT-23
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