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PMV45EN2R-JSM

N沟道增强型MOSFET，采用高密度先进沟槽技术，适用于低电压应用

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描述: 数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V,4.1A 耗散功率(Pd)：1.115W 阈值电压(Vgs(th))：2V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PMV45EN2R-JSM
商品编号: C53113978
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036333克(g)

商品参数

PMV45EN2R-JSM 是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。该高密度工艺专为最小化导通电阻而优化，特别适用于需要低电压应用和低线路功率损耗的场合，并采用超小型表面贴装封装。