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PMV65XP,215-JSM

P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，适用于低电压应用，低在线功率损耗，采用SOT23-3L封装，具备ESD保护

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描述: 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：1.7W 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PMV65XP,215-JSM
商品编号: C53113963
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0319克(g)

商品参数

PMV65XP,215-JSM是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。该高密度工艺专为最小化导通电阻而优化。这些器件特别适用于低电压应用，并能在非常小的表面贴装封装中实现低线路功率损耗。具备3KV的静电放电保护。