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PESD3V3S1UB,115-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PESD3V3S1UB,115-JSM

ESD保护二极管，具备出色钳位能力、低泄漏和快速响应时间，适用于对电路板空间要求高的设计

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描述
反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：9V；14V 峰值脉冲功率(Ppp)：150W@8/20us 击穿电压：5V MSL=3
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD3V3S1UB,115-JSM
商品编号
C53113950
商品封装
SOD-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.023133克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压14V
击穿电压(VBR)5V
属性参数值
反向电流(Ir)900nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
Cj-结电容105pF

商品概述

PESD3V3S1UB旨在保护对电压敏感的元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。其出色的钳位能力、低漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间受限设计中理想的ESD保护方案。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源以及许多其他便携式应用。

商品特性

  • 符合IEC61000-4-2 Level 4标准的ESD保护
  • 保护单向I/O线路
  • 低钳位电压
  • 工作电压：3.3V
  • 低漏电流

应用领域

  • 手机及配件
  • 基于微处理器的设备
  • 个人数字助理
  • 笔记本电脑、台式机与服务器
  • 便携式仪器
  • 外围设备
  • 寻呼机

数据手册PDF

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