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NX3008NBKW,115-JSM
N沟道uTrenchMOS标准电平FET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热出色，低导通电阻
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：800mA 导通电阻(RDS(on))：650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd)：360mW 阈值电压(Vgs(th))：1.2V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NX3008NBKW,115-JSM
- 商品编号
- C53113947
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 560mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.05nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低导通电阻（Rds(on)）的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
-
- VDs为30V
-
- D为0.57A
-
- RDs(ON)（在VGs = 10V时）小于920mΩ
-
- 100%进行EAS测试
-
- 100%进行VVDs测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器
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