温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V |
商品概述
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- -20V，-3A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 70 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 100 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理