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3416K-TD
采用先进沟槽技术的MOS管，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- 20V 连续漏极电流:6A 导通电阻:33mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.4V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3416K-TD
- 商品编号
- C52437599
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 659pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 20V、5A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON)典型值 = 16mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON)典型值 = 19mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
- 静电放电等级:人体模型2KV
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制应用
- 电源管理