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BSS84K-TD
BSS84K-TD
- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- BSS84K-TD
- 商品编号
- C52437605
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 19pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V,漏极电流(ID) = -0.3 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 9 Ω
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 13 Ω
- 先进的沟槽技术,出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 产品无铅
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理