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2N7002K-TD
采用先进沟槽技术的二三极管，具备低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于电池供电系统和逻辑电平接口
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- 描述
- 60V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 2N7002K-TD
- 商品编号
- C52437603
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 60V、0.3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON)典型值 = 1.7Ω
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON)典型值 = 2.0Ω
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- 静电防护:2KV
应用领域
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 固态继电器