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2309-TD
采用先进沟槽技术的低导通电阻、低栅极电荷MOS管，适用于负载开关和PWM应用
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- 描述
- 1个P沟道 耐压:60V 电流:3.1A
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 2309-TD
- 商品编号
- C52437601
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.92nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 716pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- -60V,-3A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON)典型值 = 144mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON)典型值 = 157mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理