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3401AJ-TD
采用先进沟槽技术的低导通电阻和低栅极电荷MOS管，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- 适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3401AJ-TD
- 商品编号
- C52437600
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 414pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
- 先进沟槽技术 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- 30V、4A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 47mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 52mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 62mΩ
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理