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3400A-TD
采用先进沟槽技术的低导通电阻、低栅极电荷MOS管，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3400A-TD
- 商品编号
- C52437598
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 528pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 30V、5A
- 在VGS = 4.5 V条件下,RDS(ON)典型值为33 mΩ
- 在VGS = 2.5 V条件下,RDS(ON)典型值为36 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理