温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2305-TD
具有低导通电阻和低栅极电荷的无卤、无铅MOS管，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P沟道 漏源电压(Vdss)：18V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 2305-TD
- 商品编号
- C52437595
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 656pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 无卤;符合RoHS标准
- 无铅镀层
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理