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3415K-TD
3415K-TD
- 描述
- P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3415K-TD
- 商品编号
- C52437597
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -7.0 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 27 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 36 mΩ（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
- 静电放电（ESD）保护：2 KV
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理