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3415K-TD
采用先进沟槽技术的低导通电阻、低栅极电荷、ESD保护的P-MOS管
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- 描述
- P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3415K-TD
- 商品编号
- C52437597
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -7.0 A
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 27 mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 36 mΩ(典型值)
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
- 静电放电(ESD)保护:2 KV
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理