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3400LY-TD
先进沟槽技术MOS管，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3400LY-TD
- 商品编号
- C52437581
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
- 先进沟槽技术 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- 30V、5A
- 当VGS = 10V时,典型导通电阻RDS(ON) = 22mΩ
- 当VGS = 4.5V时,典型导通电阻RDS(ON) = 24mΩ
- 当VGS = 2.5V时,典型导通电阻RDS(ON) = 29mΩ
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理