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DMP3099LQ-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管额定漏源电压为30V，连续漏极电流为4.2A，导通电阻为45mΩ，适用于低功率开关与电源控制场合。其P沟道结构便于用于高边开关配置，简化驱动电路设计。器件具备良好的开关特性和热稳定性，可在较小封装下实现可靠的电流控制。典型应用包括小型电子设备的电源管理、电池供电系统的通断控制、电压转换电路中的同步整流及各类对空间和能效有一定要求的便携式电子产品，适合需要中等电流承载能力的直流开关场景。
- 商品型号
- DMP3099LQ-7-HXY
- 商品编号
- C51949183
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
DMP3099LQ-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.2A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 54mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 77mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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