温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7111EDN-T1-GE3-HXY
SI7111EDN-T1-GE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该P沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和65A连续漏极电流（ID），导通电阻为6.5mΩ，适用于中高功率开关场景。其P沟道特性便于实现高边驱动控制，降低栅极驱动电路复杂度。器件在低电压工作条件下具备较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。广泛适用于便携式电源设备、直流-直流转换模块、电池管理系统及各类高密度电源开关应用，支持稳定可靠的电流控制，满足对热性能与电气性能有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- SI7111EDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C51949182
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069595克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SI7111EDN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -70A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 9.3mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- DMP3099LQ-7-HXY
- SQD40031EL_GE3-HXY
- DMP3099LQ-13-HXY
- AON6512-HXY
- AONS36306-HXY
- BSC0504NSI-HXY
- NTMFS4C022NT1G-HXY
- PXN9R0-30QLJ-HXY
- CSD17505Q5A-HXY
- BSZ065N03LSATMA1-HXY
- ISC037N03L5ISATMA1-HXY
- AONR32314-HXY
- SISA88DN-T1-GE3-HXY
- SISA14BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
- FDMS8018-HXY
- NTMFS4936NCT1G-HXY
- DMT35M7LFV-13-HXY
- DI150N03PQ-HXY
- DMN3069L-13-HXY
- DMTH32M5LPSQ-13-HXY