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IPD90P03P4L04ATMA1-HXY
IPD90P03P4L04ATMA1-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管具备30V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.5mΩ，在低电压开关应用中可有效减少导通损耗。其P沟道结构适用于高边开关配置，有利于简化栅极驱动电路设计。器件采用先进工艺制造，具有良好的热稳定性和开关特性，适合用于电源管理模块、直流电源转换、电池供电设备及各类高电流开关电路中，满足对效率和紧凑布局有较高要求的场景。
- 商品型号
- IPD90P03P4L04ATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949181
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394949克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPD90P03P4L04ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -100A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 4.5mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充
- P沟道MOSFET
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