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RS1P600BHTB1-HXY

N-SGT增强型MOSFET

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描述: 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达75A，漏源击穿电压VDSS为100V，适用于中高功率电源管理系统。导通电阻RDON典型值为6.4mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各类高效能转换设备中的开关应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RS1P600BHTB1-HXY
商品编号: C49420412
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

RS1P600BHTB1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性。