温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVATS5A107PLZT4G-HXY
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至10mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的直流变换等场景，满足多种电子系统对高效、小型化的需求。
- 商品型号
- NVATS5A107PLZT4G-HXY
- 商品编号
- C49420426
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V；19.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40V ID = -50A
- RDS(ON) < 19mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- NVMFS024N06CT1G-HXY
- AOD454A
- DMN2020LSN-7-HXY
- DMTH4014LPSWQ-13-HXY
- DMTH4014SPSW-13-HXY
- DMTH4014LPSW-13-HXY
- DMTH4008LPS-13-HXY
- DMTH4008LPSQ-13-HXY
- MMSF1310R2-HXY
- MMSF10N03ZR2-HXY
- IRF7805TRPBF-HXY
- FDS6692-HXY
- RSS100N03HZGTB-HXY
- AUIRF7805Q-HXY
- FDS4410A-HXY
- FDS6694-HXY
- RSS100N03FRATB-HXY
- SQ4410EY-T1_GE3-HXY
- IPD90P03P404ATMA1-HXY
- DMP2037U-7-HXY
- IRFR3410TRLPBF-HXY