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AOD454A
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID为25A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON为18mΩ。该器件具备良好的导通特性和开关性能，适用于多种功率控制场合。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。可广泛应用于电源适配器、电池管理系统、直流电机驱动及各类中低功率电子设备中的开关与调节电路。
- 商品型号
- AOD454A
- 商品编号
- C49420428
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
AOD454A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 25A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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