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FDS4410A-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的导通特性，导通电阻（RDON）低至9.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。漏源电压（VDSS）为30V，可持续承载13A漏极电流（ID），适用于多种中高功率电源管理与控制场景。器件基于成熟半导体工艺打造，具备良好的热稳定性与可靠性，适合应用于开关电源、电机驱动、负载开关及各类电子设备中的功率调节模块。
- 商品型号
- FDS4410A-HXY
- 商品编号
- C49420441
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 147pF |
商品概述
IRFR3910TRLPBF采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V
- 漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 87mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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