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IRFR3910TRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电路设计。导通电阻（RDON）低至80mΩ，有效降低功率损耗，提高系统效率。器件结构稳定，具备良好的热性能与可靠性，广泛用于电源管理、开关电路、电机控制及LED照明等通用电子设备中，为各类应用提供高效、可靠的解决方案。
- 商品型号
- IRFR3910TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49420459
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
优惠活动
购买数量
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