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DMN2025U-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源耐压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为14毫欧，确保较低的导通损耗和较高的转换效率。器件适用于各类中功率电源变换、电机驱动、负载开关及电池管理系统等应用场景。其优异的热稳定性和快速开关特性，使其在高频工作环境下仍能保持良好性能，满足多种通用型电路设计对效率与可靠性的要求。
- 商品型号
- DMN2025U-13-HXY
- 商品编号
- C49420467
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
DMN2025U-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 17mΩ
- ESD = 2500V(人体模型)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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