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DMN2050L-7-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22毫欧，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换、负载开关、电池供电设备及嵌入式控制系统中的高效电路设计。其具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合高频应用环境，满足多种通用型电子设备对性能与可靠性的需求。
- 商品型号
- DMN2050L-7-HXY
- 商品编号
- C49420468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 137pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |