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DMN2050L-7-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V漏源电压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至22毫欧，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换、负载开关、电池供电设备及嵌入式控制系统中的高效电路设计。其具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合高频应用环境，满足多种通用型电子设备对性能与可靠性的需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMN2050L-7-HXY
商品编号: C49420468
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.025克(g)

商品参数

DMN2050L - 7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。