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SI4116DY-T1-E3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件适用于需要高效能功率管理的电子设备，能够在中高功率应用中实现较低的导通损耗，支持高频开关操作。由于其优异的电气性能和稳定性，可广泛用于电源转换、电机控制、储能系统及各类消费类电子产品中，为电路设计提供可靠的支持。
- 商品型号
- SI4116DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C49420469
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |