IRLR3410TRRPBF-HXY

N沟道增强型MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至80毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED照明等各类通用电子设备中，为电路设计提供较高的灵活性与性能保障。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRLR3410TRRPBF-HXY

商品编号

C49420460

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.3735克(g)