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DMN2025U-7-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源电压（VDSS）和6A的连续漏极电流（ID），适用于多种中功率应用场景。其导通电阻（RDON）低至14毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及各类嵌入式系统中的高效能控制电路。该MOSFET在高频开关应用中表现出色，同时兼顾低栅极电荷与快速响应特性，可满足多样化设计需求。
- 商品型号
- DMN2025U-7-HXY
- 商品编号
- C49420466
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |